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APTMC120AM55CT1AG
198.278
APTMC120AM55CT1AG 数据手册 (1 页)
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APTMC120AM55CT1AG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Chassis
封装
SP-1
极性
N-CH
功耗
250 W
漏源极电压(Vds)
1200 V
连续漏极电流(Ids)
55A
上升时间
14 ns
输入电容值(Ciss)
1900pF @1000V(Vds)
额定功率(Max)
250 W
下降时间
36 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
250000 mW

APTMC120AM55CT1AG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

APTMC120AM55CT1AG 数据手册

Microsemi(美高森美)
1 页 / 0.3 MByte
Microsemi(美高森美)
8 页 / 0.33 MByte
Microsemi(美高森美)
11 页 / 0.42 MByte

APTMC120AM55CT1 数据手册

Microsemi(美高森美)
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