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ARF461BG
31.91
ARF461BG 数据手册 (4 页)
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ARF461BG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
65 MHz
引脚数
3 Pin
额定电流
6.5 A
封装
TO-247-3
功耗
250000 mW
漏源极电压(Vds)
1000 V
上升时间
5 ns
输出功率
150 W
增益
15 dB
输入电容值(Ciss)
1700pF @50V(Vds)
下降时间
10.1 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
250000 mW
额定电压
1000 V

ARF461BG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
高度
21.46 mm

ARF461BG 数据手册

Microsemi(美高森美)
4 页 / 0.13 MByte
Microsemi(美高森美)
5 页 / 0.19 MByte

ARF461 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Microsemi(美高森美)
RF功率MOSFET N沟道增强模式 RF POWER MOSFETs N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Microsemi(美高森美)
RF功率MOSFET N沟道增强模式 RF POWER MOSFETs N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Microsemi(美高森美)
ARF461B 系列 N沟道 150 W 65 MHz 法兰安装 射频 功率 Mosfet - TO-247-3
Microsemi(美高森美)
RF功率MOSFET N沟道增强模式 RF POWER MOSFETs N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Microchip(微芯)
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 FG, MOSFET, 1000V, TO-247, ROHS
Microchip(微芯)
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