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器件3D模型
¥ 4.37
AT45DB641E-MHN-Y 数据手册 - Adesto Technologies
制造商:
Adesto Technologies
分类:
Flash芯片
封装:
UDFN-8
描述:
ADESTO TECHNOLOGIES AT45DB641E-MHN-Y 闪存, 串行, 64 Mbit, 32K 页 x 256字节, 85 MHz, SPI, UDFN, 8 引脚
Pictures:
3D模型
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AT45DB641E-MHN-Y 数据手册 (72 页)
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AT45DB641E-MHN-Y 数据手册
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AT45DB641E-MHN-Y 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
1.65V (min)
工作电压
1.7V ~ 3.6V
封装
UDFN-8
供电电流
15 mA
针脚数
8 Position
时钟频率
85 MHz
位数
8 Bit
内存容量
8000000 B
存取时间(Max)
7 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
1.7V ~ 3.6V
电源电压(Max)
3.6 V
电源电压(Min)
1.65 V
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AT45DB641E-MHN-Y 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-40℃ ~ 85℃
查看数据手册 >
AT45DB641E-MHN-Y 符合标准
AT45DB641E-MHN-Y 海关信息
AT45DB641E-MHN-Y 概述
●
闪存 存储器 IC 64Mb(264 字节 x 32K 页) SPI 85 MHz 8-UDFN(5x6)
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AT45DB641E-MHN-Y 数据手册
AT45DB641E-MHN-Y
数据手册
Adesto Technologies
72 页 / 2.53 MByte
AT45DB641E-MHN-Y
其他数据使用手册
Adesto Technologies
72 页 / 3.06 MByte
AT45DB641 数据手册
AT45DB641
E-MWHN-T
数据手册
Adesto Technologies
AT45DB641E 系列 3.6 V 85 MHz 64 Mb 表面贴装 SPI 串行 闪存 - VDFN-8
AT45DB641
E-MWHN-Y
数据手册
Adesto Technologies
Adesto### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。
AT45DB641
E-MHN2B-T
数据手册
Adesto Technologies
闪存, 串行NOR, 64 Mbit, SPI, UDFN, 8 引脚
AT45DB641
E-SHN2B-T
数据手册
Adesto Technologies
闪存, DataFlash, 串行NOR, 64Mbit, 32K Pages x 256Byte, SPI, WSOIC-8
AT45DB641
E-MHN-Y
数据手册
Adesto Technologies
ADESTO TECHNOLOGIES AT45DB641E-MHN-Y 闪存, 串行, 64 Mbit, 32K 页 x 256字节, 85 MHz, SPI, UDFN, 8 引脚
AT45DB641
E-SHN-T
数据手册
Adesto Technologies
AT45DB641E 系列 64 Mb (8 M x 8) 3.6 V SPI 串行 闪存 - SOIC-8
AT45DB641
E-MHN-T
数据手册
Adesto Technologies
闪存, 串行NOR, 64 Mbit, SPI, UDFN, 8 引脚
AT45DB641
E-SHN-B
数据手册
Adesto Technologies
AT45DB641E 系列 64 Mb (32K 页 x 264 字节) SPI 串行 闪存-SOIC-8
AT45DB641
E-MWHN2B-T
数据手册
Adesto Technologies
闪存, DataFlash, 串行NOR, 64Mbit, 32K Pages x 256Byte, SPI, VDFN-8
AT45DB641
E-UUN2B-T
数据手册
Adesto Technologies
NOR闪存 SPI Serial FLASH1.7V 64Mb, I-TEMP, BINARY
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