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AUIRF2804S
2.06
AUIRF2804S 数据手册 (15 页)
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AUIRF2804S 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
漏源极电阻
1.5 mΩ
极性
N-Channel
功耗
300 W
零部件系列
AUIRF2804S
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
40 V
输入电容值(Ciss)
6450pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
300 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

AUIRF2804S 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃

AUIRF2804S 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
15 页 / 0.27 MByte

AUIRF2804 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  AUIRF2804  晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 1.8 mohm, 10 V, 2 V
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET,InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  AUIRF2804S  晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 1.5 mohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  AUIRF2804S-7P  晶体管, MOSFET, N沟道, 240 A, 40 V, 1.5 mohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
汽车Q101 40V单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) AUIRF2804STRL7P D2PAK-7
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