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AUIRF2907Z
0.711
AUIRF2907Z 数据手册 (12 页)
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AUIRF2907Z 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
额定功率
300 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0035 Ω
极性
N-Channel
功耗
300 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
75 V
漏源击穿电压
75 V
连续漏极电流(Ids)
170A
上升时间
140 ns
输入电容值(Ciss)
7500pF @25V(Vds)
下降时间
100 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300W (Tc)

AUIRF2907Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
高度
16.51 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

AUIRF2907Z 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.28 MByte
Infineon(英飞凌)
22 页 / 0.35 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
35 页 / 2.04 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.03 MByte

AUIRF2907 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  AUIRF2907Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 170 A, 75 V, 0.0035 ohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 75V 75A
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 75V 180A
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 75V 180A
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) AUIRF2907ZS7PTL D2PAK-7
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