￥ 2.527

AUIRF5210STRL 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

晶体管, MOSFET, P沟道, -38 A, -100 V, 0.06 ohm, -10 V, -4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

AUIRF5210STRL 数据手册 (10 页)

封装尺寸在8 页

AUIRF5210STRL 数据手册 (10 页)

查看文档

或点击图片查看大图

AUIRF5210STRL 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

60 mΩ

极性

P-CH

功耗

3.1 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

连续漏极电流(Ids)

38A

上升时间

63 ns

输入电容值(Ciss)

2780pF @25V(Vds)

下降时间

55 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.1W (Ta), 170W (Tc)

查看数据手册 >

AUIRF5210STRL 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

6.5 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

AUIRF5210STRL 符合标准

AUIRF5210STRL 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.3 MByte

AUIRF5210STRL 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

AUIRF5210STRL 开发手册

Infineon（英飞凌）

35 页 / 2.04 MByte

AUIRF5210 数据手册

AUIRF5210STRL 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, P沟道, -38 A, -100 V, 0.06 ohm, -10 V, -4 V

AUIRF5210S 数据手册

Infineon（英飞凌）

场效应管(MOSFET) AUIRF5210S D2PAK

AUIRF5210S 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

AUIRF5210STRL 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

AUIRF5210STRR 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号