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AUIRF7739L2TR
2.057
AUIRF7739L2TR 数据手册 (11 页)
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AUIRF7739L2TR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
15 Pin
封装
Direct-FET
额定功率
125 W
极性
N-Channel
功耗
125 W
漏源极电压(Vds)
40 V
连续漏极电流(Ids)
46A
上升时间
71 ns
输入电容值(Ciss)
11880pF @25V(Vds)
下降时间
42 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3.8W (Ta), 125W (Tc)

AUIRF7739L2TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
9.15 mm
宽度
7.1 mm
高度
0.74 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

AUIRF7739L2TR 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.52 MByte
Infineon(英飞凌)
28 页 / 4.06 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
35 页 / 2.04 MByte

AUIRF7739L2 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) AUIRF7739L2TR DirectFET
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  AUIRF7739L2TR1  晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 40 V, 700 µohm, 10 V, 2.8 V
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