￥ 4.067

AUIRF7749L2TR 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

DirectFET-L8

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 345 A, 60 V, 0.0011 ohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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AUIRF7749L2TR 数据手册 (12 页)

封装尺寸在9 页

AUIRF7749L2TR 数据手册 (12 页)

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AUIRF7749L2TR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

9 Pin

封装

DirectFET-L8

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.1 mΩ

极性

N-CH

功耗

341 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60 V

连续漏极电流(Ids)

36A

上升时间

149 ns

输入电容值(Ciss)

10655pF @25V(Vds)

下降时间

88 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

3.8W (Ta), 341W (Tc)

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AUIRF7749L2TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

9.15 mm

宽度

7.1 mm

高度

0.74 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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AUIRF7749L2TR 符合标准

AUIRF7749L2TR 海关信息

AUIRF7749L2TR 数据手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.49 MByte

AUIRF7749L2TR 开发手册

Infineon（英飞凌）

35 页 / 2.04 MByte

AUIRF7749L2 数据手册

Infineon（英飞凌）

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晶体管, MOSFET, N沟道, 345 A, 60 V, 0.0011 ohm, 10 V, 4 V

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