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AUIRF7759L2TR1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

AUIRF7759L2TR1 数据手册 (13 页)

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AUIRF7759L2TR1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

15 Pin

封装

TO-252-3

漏源极电阻

1.8 mΩ

极性

N-CH

功耗

125 W

漏源极电压(Vds)

75 V

漏源击穿电压

75 V

连续漏极电流(Ids)

160A

上升时间

37 ns

输入电容值(Ciss)

12222pF @25V(Vds)

下降时间

300 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3300 mW

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AUIRF7759L2TR1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

6.5 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.3 mm

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AUIRF7759L2TR1 符合标准

AUIRF7759L2TR1 数据手册

Infineon（英飞凌）

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