器件3D模型

￥ 6.278

AUIRS21271S 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

FET驱动器

封装:

SOIC-8

描述:

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

AUIRS21271S 数据手册 (24 页)

封装尺寸在19 页

典型应用电路图在1 页 8 页 9 页

原理图在7 页

AUIRS21271S 数据手册 (24 页)

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AUIRS21271S 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

上升/下降时间

80ns, 40ns

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

电源电压

9V ~ 20V

电源电压(Max)

20 V

电源电压(Min)

10 V

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AUIRS21271S 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Each

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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AUIRS21271S 符合标准

AUIRS21271S 概述

AUIRS21271S 数据手册

Infineon（英飞凌）

24 页 / 1.09 MByte

AUIRS21271S 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.36 MByte

AUIRS21271S 产品设计图

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.06 MByte

AUIRS21271S 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.07 MByte

AUIRS21271 数据手册

AUIRS21271STR 数据手册

Infineon（英飞凌）

MOSFET驱动器, 高压侧与低压侧, 10V至20V电源, 290mA输出, 175ns延迟, SOIC-8

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MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，单通道，Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)

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