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B32656S0105K562
8.474
B32656S0105K562 数据手册 (62 页)
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B32656S0105K562 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Radial
额定电压(DC)
1 kV
额定电压(AC)
480 V
电容
1 µF
等效串联电阻(ESR)
6.00 mΩ
容差
±10 %
工作温度(Max)
100 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

B32656S0105K562 数据手册

Epcos(爱普科斯)
62 页 / 1.19 MByte
Epcos(爱普科斯)
67 页 / 1.21 MByte

B32656S0105 数据手册

Epcos(爱普科斯)
EPCOS  B32656S0105K561  膜电容, B32656S系列, 1 µF, ± 5%, PP(聚丙烯), 1 kV
Epcos(爱普科斯)
B32656S 系列高脉冲强度和高触点可靠性 非常低电感 塑料外壳,带环氧树脂密封 (UL 94 V-0) 线束电容器技术,采用内部串行连接 Operating Temperature | -55°C to +100ºC ---|--- Capacitance Tolerance | K = ±10%, J = ±5% Dissipation Factor | 0.5 x 10-3 (@1kHz, 20ºC) ### IGBT(减震器)C4BS 系列
Epcos(爱普科斯)
B32656S 系列高脉冲强度和高触点可靠性 非常低电感 塑料外壳,带环氧树脂密封 (UL 94 V-0) 线束电容器技术,采用内部串行连接 Operating Temperature | -55°C to +100ºC ---|--- Capacitance Tolerance | K = ±10%, J = ±5% Dissipation Factor | 0.5 x 10-3 (@1kHz, 20ºC) ### IGBT(减震器)C4BS 系列
Epcos(爱普科斯)
B32656S 系列高脉冲强度和高触点可靠性 非常低电感 塑料外壳,带环氧树脂密封 (UL 94 V-0) 线束电容器技术,采用内部串行连接 Operating Temperature | -55°C to +100ºC ---|--- Capacitance Tolerance | K = ±10%, J = ±5% Dissipation Factor | 0.5 x 10-3 (@1kHz, 20ºC) ### IGBT(减震器)C4BS 系列
Epcos(爱普科斯)
TDK(东电化)
TDK(东电化)
TDK(东电化)
TDK(东电化)
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