器件3D模型

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BA12003B 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

接口芯片

封装:

DIP-16

描述:

高电压，大电流达林顿晶体管阵列 High voltage, high current Darlington transistor array

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BA12003B 数据手册 (7 页)

封装尺寸在6 页

原理图在1 页

BA12003B 数据手册 (7 页)

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BA12003B 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

16 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

500 mA

封装

DIP-16

极性

NPN

击穿电压(集电极-发射极)

60 V

集电极最大允许电流

0.5A

工作温度(Max)

75 ℃

工作温度(Min)

-25 ℃

耗散功率(Max)

1250 mW

电源电压(Max)

55 V

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BA12003B 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-25℃ ~ 75℃

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BA12003B 符合标准

BA12003B 概述

BA12003B 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

7 页 / 0.11 MByte

BA12003B 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

7 页 / 0.1 MByte

BA12003 数据手册

BA12003BF-E2 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

达林顿晶体管阵列，ROHM Semiconductor此阵列由七个达林顿晶体管电路组成，可驱动高输出电流 (500 mA)。内置输入电阻器可限制基座电流输出处内置箝位二极管可吸收浪涌电流输入和输出引脚布局在 IC 封装的两侧分开应用包括小型电动机驱动器和 LED 驱动器 ### 达林顿晶体管驱动器

BA12003B 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

高电压，大电流达林顿晶体管阵列 High voltage, high current Darlington transistor array

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