BA12003BF 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

封装:

SOP

描述:

高电压，大电流达林顿晶体管阵列 High voltage, high current Darlington transistor array

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BA12003BF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SOP

极性

NPN

击穿电压(集电极-发射极)

60 V

集电极最大允许电流

0.5A

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

达林顿晶体管阵列，ROHM Semiconductor此阵列由七个达林顿晶体管电路组成，可驱动高输出电流 (500 mA)。内置输入电阻器可限制基座电流输出处内置箝位二极管可吸收浪涌电流输入和输出引脚布局在 IC 封装的两侧分开应用包括小型电动机驱动器和 LED 驱动器 ### 达林顿晶体管驱动器

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

高电压，大电流达林顿晶体管阵列 High voltage, high current Darlington transistor array

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