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Datasheet 搜索 > 接口芯片 > ROHM Semiconductor(罗姆半导体) > BA12003BF-E2 Datasheet 文档
BA12003BF-E2
器件3D模型
0.439
BA12003BF-E2 数据手册 (7 页)
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BA12003BF-E2 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
16 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
500 mA
封装
SOP-16
输出电压
50 V
输出电流
500 mA
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
1000
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
0.62 W
电源电压(Max)
55 V
输入电压
30 V

BA12003BF-E2 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-25℃ ~ 75℃

BA12003BF-E2 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
7 页 / 0.1 MByte

BA12003 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
达林顿晶体管阵列,ROHM Semiconductor此阵列由七个达林顿晶体管电路组成,可驱动高输出电流 (500 mA)。内置输入电阻器可限制基座电流 输出处内置箝位二极管可吸收浪涌电流 输入和输出引脚布局在 IC 封装的两侧分开 应用包括小型电动机驱动器和 LED 驱动器 ### 达林顿晶体管驱动器
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
高电压,大电流达林顿晶体管阵列 High voltage, high current Darlington transistor array
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