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BAR 81W H6327
0.143
BAR 81W H6327 数据手册 (12 页)
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BAR 81W H6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
电容
0.9 pF
封装
SOT-343-4
功耗
100 mW
正向电流
100 mA
击穿电压
30 V
正向电压(Max)
1 V
正向电流(Max)
100 mA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
100 mW

BAR 81W H6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BAR 81W H6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.95 MByte
Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.21 MByte

BAR81 数据手册

Infineon(英飞凌)
BAR81 开关二极管 30V 100mA/0.1A SOT-143 marking/标记 BB 射频开关
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BAR81WH6327XTSA1  二极管, 射频/PIN, 单, 1 ohm, 30 V, SOT-343, 4引脚, 0.9 pF
Infineon(英飞凌)
硅射频开关二极管 Silicon RF Switching Diode
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BAR 81W H6327  二极管, 射频/PIN, 单, 1 ohm, 30 V, SOT-343, 4引脚, 0.9 pF
Infineon(英飞凌)
通用二极管 BAR81WE6327 SOT-343-4
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
InfineonInfineon 高速小信号开关二极管,电流额定值高达 1A,反向电压额定值高达 400V。 多数这些设备提供双路、三路和四路配置。### 二极管和整流器,Infineon
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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