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BAS21C 数据手册 - HXY MOSFET（华轩阳电子）

制造商:

HXY MOSFET（华轩阳电子）

封装:

SOT-23

描述:

二极管配置：1对共阴极功率：225mW 直流反向耐压(Vr)：250V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：1.25V@200mA 反向电流(Ir)：100nA@200V 反向恢复时间(trr)：50ns 工作温度：+150℃@(Tj)

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3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

BAS21C 数据手册

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BAS21C 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

SOT-23

BAS21C 符合标准

BAS21C 概述

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Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BAS21 二极管小信号, 单, 200 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 1 A

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ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor 二极管 BAS21, Io=600mA, 50ns, 3引脚 SOT-23封装

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CJ（长电科技）

BAS21 编带

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NXP（恩智浦）

BAS21 开关二极管 200V 200mA/0.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 JS 高速开关

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Diotec Semiconductor

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EIC

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Infineon（英飞凌）

INFINEON BAS21. 二极管小信号, 高电压, 单, 200 V, 250 mA, 1 V, 50 ns, 4 A

BAS21 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

BAS21 开关二极管 200V 200mA/0.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 A82

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Diodes（美台）

二极管小信号, 单, 250 V, 400 mA, 1 V, 50 ns, 1 A

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Philips（飞利浦）

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