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BAT85S-TR
器件3D模型
0.044
BAT85S-TR 数据手册 (3 页)
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BAT85S-TR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
2 Pin
封装
DO-35
针脚数
2 Position
正向电压
0.8 V
反向恢复时间
5 ns
最大反向电压(Vrrm)
30 V
正向电流
200 mA
最大正向浪涌电流
5 A
最大反向漏电流
2 uA
正向电压(Max)
800 mV
正向电流(Max)
200 mA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃

BAT85S-TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-65℃ ~ 125℃
最小包装数量
10000

BAT85S-TR 数据手册

VISHAY(威世)
3 页 / 0.06 MByte
VISHAY(威世)
3 页 / 0.07 MByte

BAT85 数据手册

NXP(恩智浦)
肖特基二极管 Schottky barrier diode
Philips(飞利浦)
Nexperia(安世)
肖特基势垒二极管,200mA 至 500mA,Nexperia高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
Vishay Semiconductor(威世)
肖特基二极管 Schottky Diodes
Good-Ark Electronics(固锝)
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