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Datasheet 搜索 > 二极管阵列 > Infineon(英飞凌) > BAV 199 E6327 Datasheet 文档
BAV 199 E6327
0.017
BAV 199 E6327 数据手册 (7 页)
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BAV 199 E6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
70.0 V
电容
2.00 pF
封装
SOT-23-3
额定功率
350 mW
击穿电压
85.0 V
针脚数
3 Position
正向电压
1.25 V
反向恢复时间
1.5 µs
正向电流
200 mA
最大正向浪涌电流
4.5 A
正向电压(Max)
1.1 V
正向电流(Max)
200 mA
工作温度(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
330 mW

BAV 199 E6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
1 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃

BAV 199 E6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.06 MByte
Infineon(英飞凌)
4 页 / 0.43 MByte

BAV199 数据手册

NXP(恩智浦)
BAV199
Diodes(美台)
DIODES INC.  BAV199  二极管 小信号, 双隔离, 85 V, 160 mA, 1.1 V, 3 µs, 4.5 A
CJ(长电科技)
BAV199 编带
Infineon(英飞凌)
BAV199 双管串联 开关二极管 80V 200mA/0.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 JY 低泄漏/中速开关
Philips(飞利浦)
Diotec Semiconductor
Siemens Semiconductor(西门子)
Leshan Radio(乐山无线电)
Nexperia(安世)
小信号开关二极管,Nexperia### 特点支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容
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