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BC308C
0.049
BC308C 数据手册 (5 页)
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BC308C 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-25.0 V
额定电流
-100 mA
封装
TO-92-3
功耗
0.5 W
增益频宽积
130 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
25 V
最小电流放大倍数
380 @2mA, 5V
最大电流放大倍数
800
额定功率(Max)
500 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃

BC308C 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bulk
长度
4.58 mm
宽度
3.86 mm
高度
4.58 mm
工作温度
150℃ (TJ)

BC308C 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.04 MByte

BC308 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
CJ(长电科技)
三极管(晶体管) BC308 TO-92 120-220
KEC(Korea Electronics)(KEC株式会社)
Micro Electronics
Continental Device
New Jersey Semiconductor
Semtech Corporation
Fairchild(飞兆/仙童)
PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Fairchild(飞兆/仙童)
PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Fairchild(飞兆/仙童)
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