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BC640G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-226-3

描述:

高电流晶体管 High Current Transistors

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BC640G 数据手册 (4 页)

封装尺寸在4 页

BC640G 数据手册 (4 页)

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BC640G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-80.0 V

额定电流

-500 mA

封装

TO-226-3

极性

PNP

击穿电压(集电极-发射极)

80 V

集电极最大允许电流

0.5A

最小电流放大倍数

40 @150mA, 2V

额定功率(Max)

625 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

625 mW

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BC640G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Box

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BC640G 符合标准

BC640G 海关信息

BC640G 概述

BC640G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

4 页 / 0.05 MByte

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5 页 / 0.09 MByte

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