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器件3D模型
¥ 0.011
BC807-40W 数据手册 - NXP(恩智浦)
制造商:
NXP(恩智浦)
分类:
双极性晶体管
封装:
SOT-323
描述:
NXP BC807-40W 单晶体管 双极, 通用, PNP, 45 V, 80 MHz, 200 mW, 500 mA, 250 hFE
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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BC807-40W 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-323
针脚数
3 Position
极性
PNP
功耗
200 mW
最小电流放大倍数
250
直流电流增益(hFE)
250
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
0.2 W
查看数据手册 >
BC807-40W 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
2.2 mm
宽度
1.35 mm
高度
1 mm
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BC807-40W 符合标准
BC807-40W 概述
●
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| −50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −45V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −500mA/-0.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 80MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 250~600 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −700mV/-0.7V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| PNP general purpose transistor FEATURES • High current (max. 500 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. 描述与应用| PNP通用晶体管 特点 •高电流(最大500毫安) •低电压(最大45 V)。 应用 •通用开关和放大。
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BC807-40 PNP三极管 BC807-40 PNP transistors(BJT)Vcbo=-50V Vco=-45v Ic= -500mA/-0.5A ft=80MHz hfe=250~600 Vce=-700mV/-0.7V SOT-23/SC-59 marking/标记 5C 高电流增益
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bc807-40 PNP三极管 -50V -500mA/-0.5A 200MHz 250~630 -700mV/-0.7V SOT-23/SC-59 marking/标记 5c 高电流增益
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MULTICOMP BC807-40 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 200 MHz, 300 mW, -500 mA, 250 hFE
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BC807-40 PNP三极管 -50V -500mA/-0.5A 200MHz 250~630 -700mV/-0.7V SOT-323/SC-70 marking/标记 5C 高电流增益
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