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器件3D模型
¥ 0.108
BC847C 数据手册 - Infineon(英飞凌)
制造商:
Infineon(英飞凌)
分类:
双极性晶体管
封装:
SOT-23-3-3
描述:
NPN 晶体管,Infineon### 双极晶体管,Infineon
Pictures:
3D模型
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焊盘图
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BC847C 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3-3
最小电流放大倍数
420
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
330 mW
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BC847C 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
1 mm
查看数据手册 >
BC847C 符合标准
BC847C 概述
●
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 45V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 100mA/0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 250MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 420~800 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 200~600 mV 耗散功率PcPower Dissipation| 330mW/0.33W Description & Applications| NPN Silicon AF Transistors For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage Low noise between 30 Hz and 15 kHz Complementary types: BC856, BC857, BC858 BC859, BC860 (PNP) 描述与应用| NPN硅晶体管自动对焦 AF输入级和驱动器应用 高电流增益 低集电极 - 发射极饱和电压,低管压降 低噪音30 Hz和15千赫之间 互补类型:BC856,BC857,BC858 BC859,BC860(PNP)
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