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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > Nexperia(安世) > BCM856BS,115 Datasheet 文档
BCM856BS,115
0.051
BCM856BS,115 数据手册 (15 页)
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BCM856BS,115 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
175 MHz
引脚数
6 Pin
封装
TSSOP-363
针脚数
6 Position
功耗
300 mW
击穿电压(集电极-发射极)
65 V
最小电流放大倍数
200 @2mA, 5V
额定功率(Max)
300 mW
直流电流增益(hFE)
290
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

BCM856BS,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
1.4 mm
高度
1.1 mm
工作温度
150℃ (TJ)

BCM856BS,115 数据手册

Nexperia(安世)
15 页 / 0.21 MByte
Nexperia(安世)
206 页 / 0.21 MByte
Nexperia(安世)
72 页 / 3.63 MByte

BCM856 数据手册

Nexperia(安世)
Nexperia BCM856BS,115, 双 PNP 晶体管, 100 mA, Vce=65 V, HFE:200, 175 MHz, 6引脚 SOT-363 (SC-88)封装
Infineon(英飞凌)
BCM856S 系列 PNP 65 V 100 mA 硅 AF 晶体管 阵列 - SOT-363-6
Infineon(英飞凌)
Nexperia(安世)
2个PNP 65V 300mW 15nA
Nexperia(安世)
Nexperia BCM856DS,115, 双 PNP 晶体管, 100 mA, Vce=65 V, HFE:200, 6引脚 SOT-457 (SC-74)封装
NXP(恩智浦)
NXP  BCM856BS,115  双极性晶体管阵列, 双路PNP, -65V, -100mA, 6-SOT-363
Infineon(英飞凌)
Infineon BCM856SH6433XTMA1, 双 PNP 晶体管, 100 mA, Vce=65 V, HFE:200, 250 MHz, 6引脚 SOT-363 (SC-88)封装
NXP(恩智浦)
BCM856DS 系列 65 V 100 mA PNP/PNP 匹配对 晶体管 - SOT-457
NXP(恩智浦)
NXP  BCM856BS  双极晶体管阵列, PNP, -65 V, 300 mW, -100 mA, 290 hFE, SOT-363
NXP(恩智浦)
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