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BCP53-10T1
0.226
BCP53-10T1 数据手册 (5 页)
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BCP53-10T1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
-80.0 V
额定电流
-1.50 A
封装
SOT-223-4
极性
PNP
功耗
1.5 W
增益频宽积
50 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
1.5A
最小电流放大倍数
25
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
65 ℃

BCP53-10T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.5 mm
宽度
3.5 mm
高度
1.57 mm

BCP53-10T1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.07 MByte

BCP5310 数据手册

NXP(恩智浦)
NXP  BCP53-10  单晶体管 双极, PNP, 80 V, 145 MHz, 650 mW, 1 A, 63 hFE
Infineon(英飞凌)
PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF Transistors
Siemens Semiconductor(西门子)
BCP53-10 PNP三极管 -100V -1A 125MHz 63~160 -500mV/-0.5V SOT-223 marking/标记 BCP53 驱动器
CJ(长电科技)
三极管(晶体管) BCP53-10 SC-73(SOT-223) NPN,Vceo=-80V,Ic=-1A,HFE=63-160
Nexperia(安世)
ON Semiconductor(安森美)
Diodes(美台)
Diotec Semiconductor
ST Microelectronics(意法半导体)
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