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BCP53E6327
0.08
BCP53E6327 数据手册
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BCP53E6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-223
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
1A

BCP53E6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete

BCP53 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
PNP硅外延晶体管中功率高电流表面贴装 PNP Silicon Epitaxial Transistors MEDIUM POWER HIGH CURRENT SURFACE MOUNT
NXP(恩智浦)
NXP  BCP53  单晶体管 双极, PNP, 80 V, 145 MHz, 650 mW, 1 A, 63 hFE
Fairchild(飞兆/仙童)
PNP 晶体管,60 至 160V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Philips(飞利浦)
Infineon(英飞凌)
PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF Transistors
CJ(长电科技)
三极管(晶体管) BCP53-16 SC-73(SOT-223) NPN,Vceo=-80V,Ic=-1A,HFE=100-250
Nexperia(安世)
Siemens Semiconductor(西门子)
Diodes(美台)
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