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BCP55E6327
0.11
BCP55E6327 数据手册 (7 页)
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BCP55E6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
1.00 A
封装
SOT-223
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
集电极最大允许电流
1A
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
2000 mW

BCP55E6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon

BCP55E6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.8 MByte
Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.51 MByte

BCP55 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BCP55  单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 1.5 W, 1.5 A, 25 hFE
ON Semiconductor(安森美)
小信号 NPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
CJ(长电科技)
60V,1A,NPN三极管,hFE=100-250
NXP(恩智浦)
BCP55 NPN三极管 60V 1A 130MHz 63~250 500mV/0.5V SOT-223/SC-73 marking/标记 BCP55 中等功率晶体管
Infineon(英飞凌)
NPN硅晶体管自动对焦 NPN Silicon AF Transistors
Nexperia(安世)
通用 NPN 晶体管,Nexperia### 双极晶体管,Nexperia
Philips(飞利浦)
Diodes(美台)
Diotec Semiconductor
ST Microelectronics(意法半导体)
中功率放大器 MEDIUM POWER AMPLIFIER
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