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BCP56-10T1
0.08
BCP56-10T1 数据手册 (15 页)
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BCP56-10T1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
80.0 V
额定电流
1.00 A
封装
SOT-223-4
极性
NPN
功耗
1.5 W
增益频宽积
130 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
1A
最小电流放大倍数
25
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
65 ℃

BCP56-10T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.5 mm
宽度
3.5 mm
高度
1.57 mm

BCP56-10T1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
15 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.06 MByte

BCP5610 数据手册

NXP(恩智浦)
NXP  BCP56-10  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFE
CJ(长电科技)
BCP56-10 63-160 编带
Infineon(英飞凌)
NPN硅晶体管自动对焦 NPN Silicon AF Transistors
Philips(飞利浦)
Diotec Semiconductor
Nexperia(安世)
Diodes(美台)
ST Microelectronics(意法半导体)
ON Semiconductor(安森美)
Motorola(摩托罗拉)
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