BCP69 数据手册 - NXP（恩智浦）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| −32V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −20V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 40MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 85~375 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 1.35W Description & Applications| PNP medium power transistor FEATURESFEATURES FEATURES • High current (max. 1 A) • Low voltage (max. 20 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification • Power applications such as audio output stages. 描述与应用| PNP中等功率晶体管 特点 •高电流（最大1 A） •低电压（最大20 V）。 应用 •通用开关和放大 •电源应用，如音频输出级