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器件3D模型
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BCR 183 E6327 数据手册 - Infineon(英飞凌)
制造商:
Infineon(英飞凌)
分类:
双极性晶体管
封装:
SOT-23-3
描述:
双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
BCR 183 E6327 数据手册 (12 页)
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BCR 183 E6327 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
-50.0 V
额定电流
-100 mA
封装
SOT-23-3
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
最小电流放大倍数
30
最大电流放大倍数
30
额定功率(Max)
200 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
查看数据手册 >
BCR 183 E6327 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
1 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃
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BCR 183 E6327 符合标准
BCR 183 E6327 数据手册
BCR 183 E6327
数据手册
Infineon(英飞凌)
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BCR183 数据手册
BCR183
数据手册
Infineon(英飞凌)
InfineonInfineon 的一系列双极性结点晶体,配有集成电阻器,允许直接从数字来源驱动,无需其他元件。 双电阻器设备具有串行输入电阻器和连接晶体管基座与发射器的电阻器。### 数字晶体管,Infineon配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
BCR183
数据手册
Siemens Semiconductor(西门子)
BCR183
数据手册
TT Electronics/BI
BCR183
E6327HTSA1
数据手册
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
BCR183
E6327
数据手册
Infineon(英飞凌)
BCR183
S
数据手册
Infineon(英飞凌)
PNP硅晶体管数字 PNP Silicon Digital Transistor
BCR183
WH6327
数据手册
Infineon(英飞凌)
InfineonInfineon 的一系列双极性结点晶体,配有集成电阻器,允许直接从数字来源驱动,无需其他元件。 双电阻器设备具有串行输入电阻器和连接晶体管基座与发射器的电阻器。### 数字晶体管,Infineon配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
BCR183
SH6327
数据手册
Infineon(英飞凌)
Infineon### 数字晶体管,Infineon配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
BCR183
W
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Infineon(英飞凌)
PNP硅晶体管数字 PNP Silicon Digital Transistor
BCR183
SH6327XTSA1
数据手册
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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