Web Analytics
Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > Infineon(英飞凌) > BCR183WH6327 Datasheet 文档
BCR183WH6327
0.021
BCR183WH6327 数据手册 (12 页)
查看文档
或点击图片查看大图

BCR183WH6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
200 MHz
引脚数
3 Pin
封装
SOT-323
极性
PNP
功耗
250 mW
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
30
工作温度(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
250 mW

BCR183WH6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR), Reel
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
0.8 mm

BCR183WH6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.87 MByte
Infineon(英飞凌)
14 页 / 0.23 MByte

BCR183 数据手册

Infineon(英飞凌)
InfineonInfineon 的一系列双极性结点晶体,配有集成电阻器,允许直接从数字来源驱动,无需其他元件。 双电阻器设备具有串行输入电阻器和连接晶体管基座与发射器的电阻器。### 数字晶体管,Infineon配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
Siemens Semiconductor(西门子)
TT Electronics/BI
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
PNP硅晶体管数字 PNP Silicon Digital Transistor
Infineon(英飞凌)
InfineonInfineon 的一系列双极性结点晶体,配有集成电阻器,允许直接从数字来源驱动,无需其他元件。 双电阻器设备具有串行输入电阻器和连接晶体管基座与发射器的电阻器。### 数字晶体管,Infineon配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
Infineon(英飞凌)
Infineon### 数字晶体管,Infineon配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
Infineon(英飞凌)
PNP硅晶体管数字 PNP Silicon Digital Transistor
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z