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BCV61CE6327HTSA1
0.209
BCV61CE6327HTSA1 数据手册 (7 页)
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BCV61CE6327HTSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
SOT-143
最小电流放大倍数
100
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

BCV61CE6327HTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
1 mm

BCV61CE6327HTSA1 数据手册

Nexperia(安世)
7 页 / 0.51 MByte
Nexperia(安世)
7 页 / 0.51 MByte

BCV61CE6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon使用通用基座连接匹配双 NPN 和 PNP 晶体管,可用作电流反射镜对。良好的热耦合和 VBE 配接 高电流增益 低集电极-发射极饱和电压 ### 双极晶体管,Infineon
Infineon(英飞凌)
Infineon使用通用基座连接匹配双 NPN 和 PNP 晶体管,可用作电流反射镜对。良好的热耦合和 VBE 配接 高电流增益 低集电极-发射极饱和电压 ### 双极晶体管,Infineon
Infineon(英飞凌)
Nexperia(安世)
双极晶体管,Nexperia
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Nexperia(安世)
Nexperia BCV61CE6327HTSA1, 双 NPN 晶体管, Vce=30 V, HFE:100, 250 MHz, 4引脚 SOT-143封装
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