BCX18 数据手册 - NXP（恩智浦）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| −30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −25V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −500mA/-0.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 80MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~600 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −620mV/-0.62V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| PNP general purpose transistors FEATURES • High current (max. 500 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • Saturated switching and driver applications e.g. for industrial service • Thick and thin-film circuits. 描述与应用| PNP通用晶体管 特点 •高电流（最大500毫安） •低电压（最大45 V）。 应用 •饱和开关和驱动器应用，如工业服务 •厚薄膜电路。