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BD159STU
0.818
BD159STU 数据手册 (4 页)
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BD159STU 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TO-126-3
功耗
20 W
击穿电压(集电极-发射极)
350 V
最小电流放大倍数
30 @50mA, 10V
额定功率(Max)
20 W
工作温度(Max)
50 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
20000 mW

BD159STU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
材质
Silicon

BD159STU 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
20 页 / 0.87 MByte
ON Semiconductor(安森美)
19 页 / 0.99 MByte

BD159 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
塑料中功率NPN硅晶体管 Plastic Medium Power NPN Silicon Transistor
Freescale(飞思卡尔)
Fairchild(飞兆/仙童)
低功耗快速开关输出级 Low Power Fast Switching Output Stages
Inchange Semiconductor
Motorola(摩托罗拉)
ST Microelectronics(意法半导体)
Samsung(三星)
C&K Components
TT Electronics Resistors
MMD Components
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