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BD438TG
0.31
BD438TG 数据手册 (7 页)
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BD438TG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-126-3
无卤素状态
Halogen Free
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
45 V
集电极最大允许电流
4A
最小电流放大倍数
85 @500mA, 1V
额定功率(Max)
36 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
36000 mW

BD438TG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BD438TG 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.07 MByte

BD438 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  BD438.  单晶体管 双极, PNP, 45 V, 36 W, 4 A, 30 hFE
ON Semiconductor(安森美)
塑料中功率硅PNP晶体管 Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor
Multicomp
MULTICOMP  BD438  单晶体管 双极, 通用, PNP, -45 V, 3 MHz, 36 W, 4 A, 30 hFE
CJ(长电科技)
三极管(晶体管) BD438 TO-126 85-375
Motorola(摩托罗拉)
Solid State
Continental Device
Micro Commercial Components(美微科)
Central Semiconductor
Fairchild(飞兆/仙童)
中功率线性和开关应用 Medium Power Linear and Switching Applications
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