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BD540C
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BD540C 数据手册 (5 页)
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BD540C 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
极性
PNP
功耗
45000 mW
击穿电压(集电极-发射极)
100 V
集电极最大允许电流
5A
最小电流放大倍数
40
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
2 W

BD540C 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete

BD540C 数据手册

Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
5 页 / 0.1 MByte

BD540 数据手册

Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
PNP硅功率晶体管 PNP SILICON POWER TRANSISTORS
Littelfuse(力特)
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
PNP硅功率晶体管 PNP SILICON POWER TRANSISTORS
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
TE Connectivity(泰科)
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
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