￥ 0.076

BD675G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-126-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR BD675G 单晶体管双极, 达林顿, NPN, 45 V, 1 MHz, 40 W, 4 A, 750 hFE

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BD675G 数据手册 (5 页)

封装尺寸在4 页

原理图在3 页

BD675G 数据手册 (5 页)

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BD675G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

45.0 V

额定电流

4.00 A

封装

TO-126-3

无卤素状态

Halogen Free

针脚数

3 Position

极性

NPN

功耗

40 W

击穿电压(集电极-发射极)

45 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

750 @1.5A, 3V

额定功率(Max)

40 W

直流电流增益(hFE)

750

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

40000 mW

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BD675G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

长度

7.74 mm

宽度

2.66 mm

高度

11.04 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BD675G 符合标准

BD675G 海关信息

BD675G 概述

BD675G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.12 MByte

BD675G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

30 页 / 0.25 MByte

BD675G 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.03 MByte

BD675G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

4 页 / 0.07 MByte

BD675 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

达林顿功率晶体管NPN硅 DARLINGTON POWER TRANSISTORS NPN SILICON

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