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BD682S
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BD682S 数据手册 (4 页)
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BD682S 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-126-3
功耗
14 W
击穿电压(集电极-发射极)
100 V
最小电流放大倍数
750 @1.5A, 3V
额定功率(Max)
14 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
14000 mW

BD682S 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bag
工作温度
150℃ (TJ)

BD682S 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.04 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
13 页 / 0.34 MByte

BD682 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
BD6xxx 系列 PNP 80 V 4 A 互补功率达林顿晶体管 - SOT-32
ON Semiconductor(安森美)
达林顿功率晶体管PNP硅 DARLINGTON POWER TRANSISTORS PNP SILICON
Multicomp
MULTICOMP  BD682  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 40 W, 4 A, 750 hFE
Fairchild(飞兆/仙童)
中功率线性和开关应用 Medium Power Linear and Switching Applications
Central Semiconductor
TI(德州仪器)
Continental Device
Motorola(摩托罗拉)
Samsung(三星)
National Semiconductor(美国国家半导体)
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