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BD744B
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BD744B 数据手册 (5 页)
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BD744B 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TO-220-3
极性
PNP
功耗
90000 mW
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
15A
最小电流放大倍数
40
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
2 W

BD744B 数据手册

Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
5 页 / 0.06 MByte

BD744 数据手册

Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
PNP硅功率晶体管 PNP SILICON POWER TRANSISTORS
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 45V 15A PNP
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
PNP硅功率晶体管 PNP SILICON POWER TRANSISTORS
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V 15A PNP
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
PNP硅功率晶体管 PNP SILICON POWER TRANSISTORS
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
PNP硅功率晶体管 PNP SILICON POWER TRANSISTORS
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