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BDP 949 E6327
0.926
BDP 949 E6327 数据手册 (8 页)
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BDP 949 E6327 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TO-261-4
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
最小电流放大倍数
100 @500mA, 1V
额定功率(Max)
5 W

BDP 949 E6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)

BDP 949 E6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.51 MByte

BDP949 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BDP949  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 100 MHz, 3 W, 3 A, 85 hFE
Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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