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BF1009 数据手册 - Infineon（英飞凌）
制造商:
Infineon（英飞凌）
封装:
TO-253
描述:
硅N沟道MOSFET四极管（针对低噪声，高增益控制输入级可达到1GHz工作电压9 V综合稳定偏置网络 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 9 V Integrated stabilized bias network
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
BF1009 数据手册 (4 页)
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