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BF 1009S E6327 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOT-143

描述:

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

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BF 1009S E6327 数据手册 (8 页)

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BF 1009S E6327 数据手册 (8 页)

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BF 1009S E6327 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

12.0 V

额定电流

25.0 mA

封装

SOT-143

功耗

200 mW

输入电容

2.50 pF

漏源极电压(Vds)

12.0 V

连续漏极电流(Ids)

25.0 mA

输出功率

200 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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BF 1009S E6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.9 mm

宽度

1.3 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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BF 1009S E6327 符合标准

BF 1009S E6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

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