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BF1009SE6327HTSA1
0.508
BF1009SE6327HTSA1 数据手册 (8 页)
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BF1009SE6327HTSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
频率
800 MHz
额定电流
25 mA
封装
TO-253-4
增益
22 dB
额定电压
12 V

BF1009SE6327HTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)

BF1009SE6327HTSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.08 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.03 MByte

BF1009SE6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
Infineon(英飞凌)
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