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Datasheet 搜索 > MOS管 > NXP(恩智浦) > BF1105R,215 Datasheet 文档
BF1105R,215
0.209
BF1105R,215 数据手册 (13 页)
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BF1105R,215 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
800 MHz
引脚数
4 Pin
额定电流
30 mA
封装
SOT-143
针脚数
4 Position
功耗
200 mW
阈值电压
800 mV
漏源极电压(Vds)
7 V
增益
20 dB
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
200 mW
额定电压
7 V

BF1105R,215 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-65℃ ~ 150℃

BF1105R,215 数据手册

NXP(恩智浦)
13 页 / 0.3 MByte
NXP(恩智浦)
110 页 / 2 MByte
NXP(恩智浦)
15 页 / 0.34 MByte
NXP(恩智浦)
3 页 / 0.21 MByte

BF1105 数据手册

NXP(恩智浦)
N沟道双栅极的MOS- FET的 N-channel dual-gate MOS-FETs
Philips(飞利浦)
NXP(恩智浦)
BF1105 系列 7 V 30 mA N沟道 双栅极 MOS-FET - SOT143R
NXP(恩智浦)
BF1105R N沟道MOSFET 7V 30mA SOT-143 marking/标记 NA 超高速开关/超低反向电容
NXP(恩智浦)
N沟道双栅极的MOS- FET的 N-channel dual-gate MOS-FETs
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
Philips(飞利浦)
NXP(恩智浦)
Philips(飞利浦)
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