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BF422G
0.091
BF422G 数据手册 (2 页)
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BF422G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
250 V
额定电流
50.0 mA
封装
TO-226-3
极性
NPN
功耗
830 mW
击穿电压(集电极-发射极)
250 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
50 @25mA, 20V
额定功率(Max)
830 mW
直流电流增益(hFE)
50
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
830 mW

BF422G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bulk
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BF422G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.19 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.01 MByte

BF422 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
高电压晶体管 High Voltage Transistors
CJ(长电科技)
三极管(晶体管) BF422 TO-92
NXP(恩智浦)
NPN型高压晶体管 NPN high-voltage transistors
Philips(飞利浦)
UTC(友顺)
NPN外延硅晶体管
Motorola(摩托罗拉)
Infineon(英飞凌)
NPN硅晶体管高反向电压( NPN硅晶体管,高反压) NPN Silicon Transistors With High Reverse Voltage (NPN Silicon Transistors With High Reverse Voltage)
KEC(Korea Electronics)(KEC株式会社)
Continental Device
Micro Commercial Components(美微科)
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