BF545C 数据手册 - NXP（恩智浦）

●最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 30v 最大漏极电流Id Drain Current| 10mA 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| -0.4--2.2 耗散功率Pd Power Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| N-channel silicon junction field-effect transistors N-channel symmetrical silicon junction field-effect transistors in a SOT23 package. Features and benefits Low leakage level (typ. 500 fA) High gain Low cut-off voltage (max. 2.2 V for BF545A). 描述与应用| 硅N沟道结型场效应晶体管 对称N沟道硅结型场效应晶体管采用SOT23封装 低漏级（典型值500 FA） 高增益 低截止电压（最大2.2 V BF545A）