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Datasheet 搜索 > JFET晶体管 > NXP(恩智浦) > BF861C,215 Datasheet 文档
BF861C,215
0.424
BF861C,215 数据手册 (13 页)
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BF861C,215 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电流
25 mA
封装
SOT-23-3
击穿电压
-25.0 V
针脚数
3 Position
功耗
250 mW
漏源极电压(Vds)
25 V
漏源击穿电压
25 V
栅源击穿电压
25 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
额定电压
25 V

BF861C,215 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
1.4 mm
高度
1 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃

BF861C,215 数据手册

NXP(恩智浦)
13 页 / 0.07 MByte
NXP(恩智浦)
19 页 / 0.14 MByte
NXP(恩智浦)
55 页 / 1.08 MByte

BF861 数据手册

Philips(飞利浦)
NXP(恩智浦)
NXP  BF861B,215  晶体管, JFET, JFET, -25 V, 6 mA, 15 mA, -1.5 V, SOT-23, JFET
NXP(恩智浦)
N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
NXP(恩智浦)
BF861B N沟道结型场效应管 25v 6~15mA SOT-23 marking/标记 29W AM调谐器,前置放大器
NXP(恩智浦)
N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
NXP(恩智浦)
N沟道FET的结 N-channel junction FETs
NXP(恩智浦)
晶体管, JFET, -25 V, 6 mA, 15 mA, -1.5 V, SOT-23, JFET
Philips(飞利浦)
NXP(恩智浦)
BF861C N沟道结型场效应管 25v 12~25mA SOT-23 marking/标记 M35 AM调谐器,前置放大器
Philips(飞利浦)
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