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Datasheet 搜索 > 晶体管 > NXP(恩智浦) > BF998WR,115 Datasheet 文档
BF998WR,115
0.173
BF998WR,115 数据手册 (12 页)
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BF998WR,115 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
200 MHz
引脚数
4 Pin
额定电流
30 mA
封装
SOT-343
功耗
300 mW
测试电流
10 mA
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
300 mW
额定电压
12 V

BF998WR,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.2 mm
宽度
1.35 mm
高度
1 mm

BF998WR,115 数据手册

NXP(恩智浦)
12 页 / 0.07 MByte
NXP(恩智浦)
39 页 / 0.75 MByte

BF998 数据手册

NXP(恩智浦)
NXP  BF998  晶体管, 射频FET, 12 V, 30 mA, 200 mW, SOT-143B
Infineon(英飞凌)
MOSFET晶体管
Siemens Semiconductor(西门子)
BF998 N沟道MOSFET 12V 30mA SOT-143 marking/标记 MO
Philips(飞利浦)
Yageo(国巨)
Vishay Semiconductor(威世)
N沟道双栅MOS -场效应四极管,耗尽型 N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
Vishay Siliconix
Vishay Intertechnology
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