￥ 2.348

BFL4001-1E 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道功率MOSFET,900V,6.5A,2.7Ω

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BFL4001-1E 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

BFL4001-1E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

2.7 Ω

功耗

2 W

漏源极电压(Vds)

900 V

漏源击穿电压

900 V

上升时间

49 ns

输入电容值(Ciss)

850pF @30V(Vds)

下降时间

52 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2W (Ta), 37W (Tc)

查看数据手册 >

BFL4001-1E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

BFL4001-1E 符合标准

BFL4001-1E 概述

BFL4001-1E 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.24 MByte

BFL4001-1E 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.24 MByte

BFL40011 数据手册

BFL4001-1E 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

N沟道功率MOSFET,900V,6.5A,2.7Ω

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号