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BFP 193 E6327
0.069
BFP 193 E6327 数据手册 (6 页)
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BFP 193 E6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
12.0 V
额定电流
80.0 mA
封装
TO-253-4
额定功率
0.58 W
针脚数
4 Position
极性
NPN
功耗
580 mW
输入电容
2.25 pF
击穿电压(集电极-发射极)
12 V
增益
12dB ~ 18dB
最小电流放大倍数
70 @30mA, 8V
最大电流放大倍数
70 @30mA, 8V
额定功率(Max)
580 mW
直流电流增益(hFE)
70
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
580 mW

BFP 193 E6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
1 mm
工作温度
150℃ (TJ)

BFP 193 E6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.53 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.03 MByte

BFP193 数据手册

Infineon(英飞凌)
BFP193 NPN三极管 20V 80mA 8Ghz 50~200 SOT-143 marking/标记 RC 低噪声和高增益宽带放大器
Siemens Semiconductor(西门子)
Vishay Intertechnology
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon### 双极晶体管,Infineon
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFP193E6327HTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE
Infineon(英飞凌)
BFP193W NPN三极管 15V 80mA 8Ghz 50~200 SOT-343 marking/标记 RC 低噪声和高增益宽带放大器
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFP193WH6327XTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFP 193W H6327  晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE
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