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BFP842ESDH6327XTSA1
0.171
BFP842ESDH6327XTSA1 数据手册 (28 页)
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BFP842ESDH6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
SOT-343-3
针脚数
4 Position
极性
NPN
功耗
120 mW
输入电容
0.44 pF
击穿电压(集电极-发射极)
3.7 V
增益
26 dB
最小电流放大倍数
150 @15mA, 2.5V
最大电流放大倍数
450
额定功率(Max)
120 mW
直流电流增益(hFE)
150
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
120 mW

BFP842ESDH6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
150℃ (TJ)

BFP842ESDH6327XTSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
28 页 / 1.34 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
21 页 / 0.82 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.51 MByte

BFP842ESDH6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFP 842ESD H6327  晶体管 双极-射频, NPN, 3.25 V, 57 GHz, 120 mW, 40 mA, 150 hFE
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFP842ESDH6327XTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 3.25 V, 57 GHz, 120 mW, 40 mA, 150 hFE
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